黄金城材料已发展到第三代,每一次黄金城材料的突破带来的是一系列技术变革,也使尖端的新型器件研发面世成为可能。新应用标准,新材料特性,新设计和测试方式,新生产工艺流程,新黄金城流片技术对测试设备和技术带来持续挑战。
黄金城的检测与分析是一个介于基础研究与应用研究之间的设计内容很广而又不断蓬勃发展的领域,在黄金城材料的研究中,电阻率,载流子密度和迁移率是测试的关键参数。目前对黄金城材料进行物理和化学研究的方法有很多,如透射电镜、拉曼光谱、电化学C-V、X射线双晶衍射等。
基于黄金城现有的实验设备资源进行配置和集成,可覆盖量子材料、超导材料、半金属材料、纳米材料、薄膜材料、绝缘材料等大部分的黄金城测试方法和应用。
对于传统黄金城器件,主要通过执行IV、CV表征,实现快速、精准的全方位测量和分析功能。随着电子电力的发展,功率器件的使用越来越多,SiC、GaN等宽禁带黄金城被广泛应用于射频,超高压等领域,为适应特高压输电,电动汽车充电桩等超高压应用,宽禁带材料一直是研究方向的热点。
黄金城作为专业的测试平台,将带您从测试的角度,去剖析并解决黄金城从设计到生产过程中带来的一系列新问题。
黄金城集成电路,已应用于各类电子产品的方方面面。智能手机、平板电脑、手表等消费电子产品承载多媒体的平台,具有移动处理数据能力,而各种黄金城的数字接口技术的发展,是移动多媒体变革的基础。同时,云计算、IOT和人工智能等下一代创新将带来很多新挑战,将重点放在提高数据速率、避免通道损失和符号间干扰、全自动采集和分析以及同时调试物理层和协议层。
针对高速串行芯片设计,黄金城提供完整的发送端测试解决方案,配备高带宽实时示波器、高速误码率分析仪、各种探头、一致性测试夹具、一致性测试软件等,支持的标准覆盖各类常用标准。